台积电瞄准未来：2030年1nm量产，一万亿晶体管封装技术引领潮流

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台积电，全球领先的半导体制造企业，宣布了其雄心勃勃的计划：到2030年实现1nm量产，并引领一万亿晶体管封装技术的发展潮流。这一消息无疑给全球科技产业带来了新的挑战与机遇。

IEDM在2023年国际电子元器件会议上，台积电公布了雄心勃勃的半导体制造工艺和包装技术路线图，已计划到2030年。

目前，台积电正在推进3nm级N3系列工艺，下一步是在2025-2027年推出2nm级N2系列，包括N2、N2P等，将在单个芯片中集成超过1000亿个晶体管，在单个封装中实现超过5000亿个晶体管。

为此，台积电将采用EUV极紫外光刻、新通道材料、金属氧化物ESL、一系列新材料、新技术，如自对齐线弹性空间、低损伤、低硬化、低K铜材料填充等，结合CoWoS、InFO、SoIC等一系列包装技术。

然后是1.4nm级A14、A10-命名和Intel A20、A18也是如此，但看起来更“先进”。

1nm A10工艺节点计划在2030年左右大规模生产。它将在单个芯片中集成超过2000亿个晶体管，在单个封装中集成超过1万亿个晶体管，是N2工艺的两倍。

有趣的是，Intel还计划在2030年单独包装1万亿个晶体管，可谓针锋相对。

目前最复杂的单芯片是NVIDIA GH100，晶体管800亿。

各种GPU计算芯片在多芯片封装方面处于领先地位，Intel Ponte Vecchio GPU超过1000亿个晶体管，AMD Instinct MI300A、MI300x分别有1460亿个晶体管和1530亿个晶体管。

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